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两大半导体巨头同时瞄准这一领域!受益名单一览

时间:20-07-07 08:50    来源:和讯

财联社(上海,研究员 吴悠)讯,据媒体报道,存储器两大巨头三星、SK海力士近日瞄准NAND Flash事业,展开布局投资。

据韩媒中央日报消息,三星平泽园区P2,日前开始执行NAND产线投资。另外,三星西安NAND厂二期总约150亿美元投资,第一阶段70亿美元的25个项目完工,第二阶段80亿美元投资,预计2021年完工。

三星正式启动平泽P2的NAND产线建设,5月已着手建立无尘室,计划2020年下半年投产。SK海力士近日同样积极布局NAND事业,并且宣布将采取超品格战略,即强化技术实力,扭转目前市场劣势,缩短落后差距。

另外,SK海力士日前订立2020年发展愿景,包括在NAND领域展开快速追赶。SK海力士已进入堆叠128层NAND量产,目前正积极开发堆叠176层产品。

根据WSTS统计,存储器占集成电路市场的36.1%,高于逻辑、模拟和微处理器份额。DRAM领域呈现寡头垄断格局,三星、海力士、美光共占比高达95%。

其中NAND Flash占存储器细分领域的44%,且行业集中度极高,目前产能主要集中在三星、SK海力士、美光等。业内人士表示,三星、SK海力士两大巨头积极布局投资,望驱动产业链公司受益。

国产替代迫在眉睫

DRAM领域呈现寡头垄断格局,存储器国产化迫在眉睫。

6月20日,国家存储器基地项目二期开工建设。国家存储器基地项目于2016年12月30日开工,计划分两期建设3DNAND闪存芯片工厂,总投资240亿美元。一期主要实现技术突破,建成10万片/月产能,二期规划产能20万片/月,两期项目达产后月产能共计30万片。

国信证券欧阳仕华指出,存储器产业从趋势上看,DRAM和NAND均处于技术快速突破阶段,预计下半年DRAM1Z制程以及NAND新代产品将会量产。国产内存颗粒生产的内存模组产品已经开始上市销售,显示国内存储芯片产业正处于0到1的突破阶段。

东莞证券魏红梅认为,5G手机换机潮和IDC建设升级对存储设备所形成的需求端具有较高确定性,有望带动NAND Flash需求迎来新一轮增长。

财联社梳理相关上市公司:

太极实业:公司子公司海太半导体从事半导体产品的封装、封装测试、模组装配和模组测试等业务,为SK海力士提供服务。

新莱应材:公司半导体FAB厂以及工程公司客户包括长江存储、SK海力士(无锡)等。

兴森科技:公司是国内IC载板龙头企业,2018年9月正式通过三星认证正式通过三星认证,成为大陆本土唯一的三星存储IC封装基板供应商。

深科技: 国有控股的最大DRAM内存芯片封装测试公司,DRAM封测年产能3亿颗,公司在存储器DRAM方面具备世界最新一代的产品封测技术。

紫光国微:存储芯片业务主要是DRAM存储芯片,2018年实现销售收入6.45亿元。

华天科技(002185):具备LPDDR4存储4叠层封装等高端存储器封装技术,并与武汉新芯达成深度合作。实现了Nor Flash、3D NAND、DRAM产品的批量封装,客户包括长江存储。

(责任编辑:王治强 HF013)

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